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Artigo de periodico
Impurities in gallium arsenide and phosphide: the 4d and 5d series (1989)
Makiuchi, N; Macedo, T C; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Diffusion Defect Data, Solid State Data a: Deffect Diffusion Forum. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MAKIUCHI, N et al. Impurities in gallium arsenide and phosphide: the 4d and 5d series. Diffusion Defect Data, Solid State Data a: Deffect Diffusion Forum, v. 62-3, p. 145-54, 1989Tradução . . Acesso em: 19 maio 2024.
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1989). Impurities in gallium arsenide and phosphide: the 4d and 5d series. Diffusion Defect Data, Solid State Data a: Deffect Diffusion Forum, 62-3, 145-54.
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Impurities in gallium arsenide and phosphide: the 4d and 5d series. Diffusion Defect Data, Solid State Data a: Deffect Diffusion Forum. 1989 ;62-3 145-54.[citado 2024 maio 19 ]
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Impurities in gallium arsenide and phosphide: the 4d and 5d series. Diffusion Defect Data, Solid State Data a: Deffect Diffusion Forum. 1989 ;62-3 145-54.[citado 2024 maio 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin (1989)
Fazzio, A; Makiuchi, N
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: SPIN
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ABNT
FAZZIO, A e MAKIUCHI, N. Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 19 maio 2024.
APA
Fazzio, A., & Makiuchi, N. (1989). Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A, Makiuchi N. Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 maio 19 ]
Vancouver
Fazzio A, Makiuchi N. Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 maio 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Estruturas eletronicas de cadeias 'CU'-o em supercondutores de alto 'T IND.C' (1989)
Fazzio, A; Lima, G A R; Mota, R.; Makiuchi, N
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
FAZZIO, A et al. Estruturas eletronicas de cadeias 'CU'-o em supercondutores de alto 'T IND.C'. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 19 maio 2024.
APA
Fazzio, A., Lima, G. A. R., Mota, R., & Makiuchi, N. (1989). Estruturas eletronicas de cadeias 'CU'-o em supercondutores de alto 'T IND.C'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A, Lima GAR, Mota R, Makiuchi N. Estruturas eletronicas de cadeias 'CU'-o em supercondutores de alto 'T IND.C'. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 maio 19 ]
Vancouver
Fazzio A, Lima GAR, Mota R, Makiuchi N. Estruturas eletronicas de cadeias 'CU'-o em supercondutores de alto 'T IND.C'. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 maio 19 ]
Artigo de periodico
Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors (1988)
Makiuchi, N; Fazzio, A; Canuto, Sylvio
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MAKIUCHI, N e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors. Physical Review B, v. 37, n. 9 , p. 4770-3, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770. Acesso em: 19 maio 2024.
APA
Makiuchi, N., Fazzio, A., & Canuto, S. (1988). Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors. Physical Review B, 37( 9 ), 4770-3. doi:10.1103/physrevb.37.4770
NLM
Makiuchi N, Fazzio A, Canuto S. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 9 ): 4770-3.[citado 2024 maio 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770
Vancouver
Makiuchi N, Fazzio A, Canuto S. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 9 ): 4770-3.[citado 2024 maio 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770
Parte de monografia/livro
Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide (1988)
Makiuchi, N; Macedo, T C; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAKIUCHI, N et al. Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 19 maio 2024.
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 maio 19 ]
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 maio 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors (1988)
Makiuchi, N; Macedo, T C; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAKIUCHI, N et al. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 19 maio 2024.
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 maio 19 ]
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 maio 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Impurezas de metais de transicao 5d em semicondutores (1986)
Caldas, Marília Junqueira; Makiuchi, N; Fazzio, A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira e MAKIUCHI, N e FAZZIO, A. Impurezas de metais de transicao 5d em semicondutores. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 19 maio 2024.
APA
Caldas, M. J., Makiuchi, N., & Fazzio, A. (1986). Impurezas de metais de transicao 5d em semicondutores. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Caldas MJ, Makiuchi N, Fazzio A. Impurezas de metais de transicao 5d em semicondutores. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 maio 19 ]
Vancouver
Caldas MJ, Makiuchi N, Fazzio A. Impurezas de metais de transicao 5d em semicondutores. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 maio 19 ]
Artigo de periodico
Excitation and ionization of 'MO' and w in 'GA''AS' (1986)
Makiuchi, N; Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: IONIZAÇÃO DE GASES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAKIUCHI, N e FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira. Excitation and ionization of 'MO' and w in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 34, n. 4 , p. 2690-4, 1986Tradução . . Acesso em: 19 maio 2024.
APA
Makiuchi, N., Fazzio, A., & Caldas, M. J. (1986). Excitation and ionization of 'MO' and w in 'GA''AS'. Physical Review B, 34( 4 ), 2690-4.
NLM
Makiuchi N, Fazzio A, Caldas MJ. Excitation and ionization of 'MO' and w in 'GA''AS'. Physical Review B. 1986 ;34( 4 ): 2690-4.[citado 2024 maio 19 ]
Vancouver
Makiuchi N, Fazzio A, Caldas MJ. Excitation and ionization of 'MO' and w in 'GA''AS'. Physical Review B. 1986 ;34( 4 ): 2690-4.[citado 2024 maio 19 ]
Trabalho de evento
Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P' (1985)
Silva, C E T G; Makiuchi, N; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, C E T G e MAKIUCHI, N e LEITE, J. R. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. 1985, Anais.. San Francisco: Springer, 1985. . Acesso em: 19 maio 2024.
APA
Silva, C. E. T. G., Makiuchi, N., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. In Proceedings. San Francisco: Springer.
NLM
Silva CETG, Makiuchi N, Leite JR. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 maio 19 ]
Vancouver
Silva CETG, Makiuchi N, Leite JR. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 maio 19 ]

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